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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

MASTERGAN1 STMicroelectronicsMASTERGAN1系统级封装

数据： STMicroelectronicsMASTERGAN1系统级封装.pdf

STMicroelectronics MASTERGAN1系统级封装采用高功率密度电源，在半桥配置中集成栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式功率分流器具有150mΩ R DS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

STM MASTERGAN1系统级封装在下、上驱动部分均提供UVLO保护。该保护功能可防止电源开关在低效率或危险条件下工作，联锁功能可避免交叉传导情况。输入引脚具有扩展电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。

MASTERGAN1在-40°C至125°C工业温度范围内工作，采用紧凑型9x9mm QFN封装。

特性

电源系统级封装，集成半桥栅极驱动器和高压GaN晶体管：
- BV_DSS=650V
- R_DS(ON)=150mΩ
- I_{DS（最大值）}=10A
反向电流能力
零反向恢复损耗
低侧和高侧UVLO保护
内置自举二极管
联锁功能

专用引脚，用于关断功能
精确的内部时序匹配
3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
过温保护
材料清单减少
超紧凑、简化的布局
灵活、简单、快速的设计

应用

开关模式电源
高压PFC、直流-直流和直流-交流转换器

充电器和适配器
不间断电源系统
太阳能发电

框图

技术文档

数据手册（1）

STMicroelectronicsMASTERGAN1系统级封装.pdf

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