STH2N120K5-2AG STMicroelectronics SuperMESH™ 高压 MOSFET
数据:
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意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻,同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷,并100% 通过雪崩测试,同时还改进了 ESD 功能,并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
汽车级产品
1200V汽车级电池管理设备现在可用。 这些器件在很高的BVDSS上具有不均匀的鲁棒性,并且是AEC-Q101合格的。 这些设备的1200V击穿电压保护汽车电池系统。
K5系列产品有800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500V和1700V。
随着汽车级和1700V器件的引入,ST扩展了其超结MDmeshK5MOSFET的组合。 该设备提供每个区域的最低RDS(ON)和最低的栅极电荷(下降到47nC)。 这导致了行业的最佳业绩(FOM)。 更高的击穿电压确保了更高的安全裕度,以更健壮和可靠的应用。 它们是理想的宽输入电压范围辅助电源在高功率应用,如太阳能逆变器,工厂自动化,工业驱动器和焊接。
特性
- Industry's lowest RDS(on) for increased efficiency and more compact designs
- 业的最佳功勋人物(FOM)
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 世界最佳FOM
- 超低栅电荷
- 齐纳保护
应用
- 开关模式低电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 低功耗,低成本CFL
- 低功率电池充电器
- 电池充电器和管理
- 切换应用程序
- 高电流,高速开关
- 点火布光,灯光安排点燃(light的ing形式)
- 离线电源、适配器和PFC
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