STGAP1ASTR STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器

ST的新型STDRIVE系列半桥MOSFET和IGBT栅极驱动器设计用于在恶劣的工业环境中承受高达600V的高电压，同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。L6491、L6494和L6498高压半桥栅极驱动器具有高达4A的灌电流/拉电流能力，因此特别适合用于中高容量电源开关。

  eval6494l、 eval6498l 评估板支持评估L6494和L6498高压、高侧和低侧2A栅极驱动器，这些驱动器设计用于在恶劣的工业环境中工作。该器件 最高可承受600V高压，同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。

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STMicroelectronics 意法半导体 L6491 高压高侧/低侧 4A 栅极驱动器

高压高侧/低侧 4A 栅极驱动器利用 BCD6 "OFF-LINE" 技术制成。

STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。

STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。

STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

高密度功率驱动器和高压全桥，带集成栅极驱动器。