LF198-N 单片采样和保持电路

LF298和LFx98x器件是单片采样保持电路，采用BI-FET技术，通过快速采集信号和低下垂获得超高直​​流精度率。作为单位增益跟随器工作，DC增益精度典型值为0.002％，采集时间低至6μs至0.01％。双极性输入级用于实现低失调电压和宽带宽。输入失调调整由单个引脚完成，不会降低输入失调漂移。宽带宽允许LF198-N包含在1-MHz运算放大器的反馈环路内，而不会出现稳定性问题。 10 ¹⁰ Ω的输入阻抗允许使用高源阻抗而不会降低精度。

P沟道结FET与输出放大器中的双极器件相结合，以提供下垂率使用1μF保持电容，低至5 mV /min。 JFET的噪声比以前设计中使用的MOS器件低得多，并且不会出现高温不稳定性。整体设计确保在保持模式下输入到输出都没有馈通，即使输入信号等于电源电压也是如此。

LF198-N上的逻辑输入是全差分，输入电流低，允许直接输入连接到TTL，PMOS和CMOS。差分阈值为1.4 V.LF198-N将采用±5 V至±18 V电源供电。

A型可提供更严格的电气规格。