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SN74TVC3010 10 位钳位电压

数据:

描述

SN74TVC3010提供11个并联NMOS传输晶体管和一个公共栅极。开关的低导通状态电阻允许以最小的传播延迟进行连接。

该器件可用作10位开关,其栅极级联到参考晶体管。每个传输晶体管的低压侧限于由参考晶体管设置的电压。这样做是为了保护具有对高态电压电平过冲敏感的输入的元件。 (参见本数据手册中的应用信息。)

TVC阵列中的所有晶体管都具有相同的电气特性;因此,它们中的任何一个都可以用作参考晶体管。由于在器件内,晶体管与晶体管的特性相等,因此最大输出高态电压(V OH )近似为参考电压(V REF ),从一个输出到另一个输出的偏差最小。与分立器件相比,这是TVC解决方案的一大优势。由于晶体管的制造是对称的,每个位的端口连接都可以用作低压侧,I /O信号通过每个FET是双向的。

特性

  • 设计用于电压限制应用
  • 6.5- 端口A和B之间的状态连接
  • 流通引脚输出,便于印刷电路板跟踪路由
  • < li>具有GTL +电平的直接接口
  • ESD保护超过JESD 22
    • 2000-V人体模型(A114-A)
    • 1000-V充电设备型号(C101)

参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器

 
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74TVC3010
1:1 SPST    
11    
Single    
N/A    
N/A    
0    
5    
100    
Catalog    
-40 to 85    
24SOIC: 160 mm2: 10.3 x 15.5(SOIC)
24SSOP: 52 mm2: 6 x 8.65(SSOP)
24TSSOP: 50 mm2: 6.4 x 7.8(TSSOP)
24TVSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TVSOP)    
SOIC
SSOP
TSSOP
TVSOP    
5    
12.5    
64    
12    
4    
1    
2    
N/A    
N/A    

技术文档

数据手册(1)
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