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SN74CBTD3305C 具有 -2V 下冲保护和电平转换的双路 FET 总线开关

数据:

描述

SN74CBTD3305C是一款高速TTL兼容FET总线开关,具有低导通电阻(r on ),允许用于最小传播延迟。该器件具有与V CC 串联的集成二极管,可为低至3.3V输出电平的5V输入提供电平转换。 SN74CBTD3305C的A和B端口上的有源下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在正常的OFF状态,为低达2 V的下冲提供保护。

SN74CBTD3305C被组织为两个1位总线开关,具有独立的输出使能(10E,20E)输入。它可以用作两个1位总线开关或一个2位总线开关。当OE为高电平时,相关的1位总线开关为ON,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE为低电平时,相关的1位总线开关关闭,A和B端口之间存在高阻态。

该器件完全适用于使用I的部分关断应用<子>关。 I off 功能可确保损坏的电流在断电时不会回流通过器件。

为确保上电或断电期间的高阻态,OE应该通过下拉电阻连接到GND;电阻的最小值由驱动器的电流源能力决定。

特性

  • 对A和B端口上的隔离进行下冲保护,最高可达?? 2
  • 集成二极管至V < sub> CC 提供低至3.3V输出电平转换的5V输入
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通电阻( r on )特征(r on = 3 典型)
  • 低输入/输出电容可最大限度地减少负载和信号失真(C io(OFF )= 5 pF典型值)
  • 数据和控制输入提供下冲钳位二极管
  • V CC 工作范围4.5 V至5.5 V
  • 数据I /O支持0至5 V信号电平(0.8 V ,1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.3V,5V电压
  • 控制输入可由TTL或5V /3.3V CMOS输出驱动< /li>
  • I off 支持部分省电模式操作
  • 闩锁性能超过JESD 78,Class II 100 mA
  • ESD性能e JESD 22测试
    • 2000-V人体模型(A114-B,II类)
    • 1000-V充电器件模型(C101)
  • 支持数字和模拟应用:USB接口,存储器交错,总线隔离,低失真信号门控

参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器

 
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (µA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CBTD3305C
1:1 SPST    
2    
Single    
N/A    
N/A    
4.5    
5.5    
3    
20    
Catalog    
-40 to 85    
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)    
SOIC
TSSOP    
5.5    
20    
128    
1500    
Powered off protection
-2V undershoot protection
Voltage Level Shifting    
10    
12.5    
5    
1    
2    
0.8    
2    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 SN74CBTD3305C 相关库存