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SN74CB3Q16811 具有预充电输出的 24 位 FET 开关,2.5V/3.3V 低压高带宽总线开关

数据:

描述

SN74CB3Q16811是一款高带宽FET总线开关,利用电荷泵提升传输晶体管的栅极电压,提供低而平坦的导通状态阻力(r on )。低而平坦的导通电阻允许最小的传播延迟,并支持数据输入/输出(I /O)端口上的轨到轨切换。该器件还具有低数据I /O电容,可最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。 SN74CB3Q16811专为支持高带宽应用而设计,提供优化的接口解决方案,非常适合宽带通信,网络和数据密集型计算系统。

SN74CB3Q16811由两个12位总线交换机组成单独的输出使能(10E \,2OE \)输入。它可以用作两个12位总线开关或一个24位总线开关。当OE \为低电平时,相关的12位总线开关接通,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE为高电平时,相关的12位总线开关关闭,A和B端口之间存在高阻态。当OE \高时,B端口通过等效的10-k 电阻预充电到BIASV,或者如果设备断电(V CC = 0 V)。

在插入(或移除)卡进入(或从)有源总线的过程中,卡? ?的输出电压可能接近GND。当连接器引脚接触时,卡的寄生电容会试图迫使总线信号进入GND,从而在有源总线上产生可能的毛刺。通过使用总线开关的预充电偏置电压(BIASV)等于有源总线上接收器的输入阈值电压电平的总线开关,可以减少这种毛刺效应。这种方法将确保卡的插入(或移除)产生的任何毛刺都不会越过有源总线上接收器的输入阈值区域,从而最大限度地减少了插入噪声的影响。

此设备完全为使用I off 的部分断电应用指定。 I off 电路可防止在断电时损坏通过器件的电流回流。

为了确保上电或断电期间的高阻态,应该绑定OE \通过上拉电阻到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。

特性

  • 德州仪器广播公司的成员?系列
  • SN74CB3Q总线开关等效于IDTQS3VH总线开关
  • 设备上电或掉电的5 V容差I /O
  • 低和平面导通电阻(r on )特性超出工作范围
  • 数据I /O端口上的轨到轨切换
    • 0-至5- V切换使用3.3VV CC
    • 0-至3.3V切换使用2.5VV CC
  • B端口输出通过偏置电压预充电(BIASV)以最大限度地减少实时插入和热插拔期间的信号失真
  • 支持PCI热插拔
  • 双向数据流,近零传播延迟
  • 低输入/输出电容最小化负载和信号失真(C io(OFF) = 4 pF典型值)
  • 快速切换频率(f ON \ =最大20 MHz)
  • 数据和控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(I CC = 0.75 mA Typ)
  • V CC 工作范围2.3 V至3。 6 V
  • 数据I /O支持0至5V信号电平(0.8V,1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.3V,5V)
  • 控制输入可由TTL或5 V /3.3 V CMOS输出驱动
  • I off 支持部分关断模式操作
  • 闩锁性能超过100 JESD 78,II级
  • 每个JESD测试的ESD性能22
    • 2000-V人体模型(A114-B,Class II)
    • 1000V充电器件型号(C101)
  • 支持数字和模拟应用:PCI热插拔,热插接,存储器交错,总线隔离,低失真信号门控

有关CB3Q系列性能特性的更多信息,请参考TI应用报告 CBT-C,CB3T和CB3Q信号开关系列,文献编号SCDA008。

Widebus是德州仪器公司的商标。

参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器

 
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Typ) (uA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (µA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CB3Q16811
1:1 SPST    
24    
Single    
N/A    
N/A    
2.3    
3.6    
5    
500    
Catalog    
-40 to 85    
56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP)
56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP)
56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP)    
SSOP
TSSOP
TVSOP    
3.6    
9    
64    
300    
1000    
Powered off protection    
1    
10    
4    
1    
2    
0.8    
1.7    

技术文档

数据手册(1)
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