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DRV5011 低电压数字锁存器霍尔效应传感器

数据:

描述

DRV5011器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器,专为电机和其他旋转系统而设计。

该器件具有工作电压范围为2.5V至5.5V的高效低电压架构,采用标准SOT-23封装和外形减小90%的0.4mm超薄X2SON封装。输出端采用推挽驱动器,无需使用上拉电阻器当前南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开B OP 和B RP 以提供可靠切换。

器件在-40°C至+ 135°C的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

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特性

  • 超小型X2SON或SOT-23封装
  • 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滞:4mT(典型值)
  • 30kHz高速感应带宽
  • 2.5V至5.5VV CC 工作电压范围
  • 推挽式CMOS输出
    • 支持5mA拉电流和20mA灌电流
  • 工作温度范围:-40°C至+ 135°C

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关

 
Type
Supply Voltage (Vcc) (Min) (V)
Supply Voltage (Vcc) (Max) (V)
Operate Point (Max) (mT)
Release Point (Min) (mT)
Output
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Pin/Package
DRV5011 DRV5012 DRV5013
Latch     Latch     Latch    
2.5     1.65     2.5    
5.5     5.5     38    
3.8     3.3     3.4
5
9
18    
-3.8     -3.3     -3.4
-5
-9
-18    
Push-pull output driver     Push-pull output driver     Open drain    
-40 to 135     -40 to 85     -40 to 125    
SOT-23
X2SON    
X2SON     SOT-23    
3SOT-23
4X2SON    
4X2SON     3SOT-23    

方框图 (1)


技术文档

数据手册(1)
元器件购买 DRV5011 相关库存