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?? HC165和?? HCT165是8位并行或串行移位寄存器,具有互补串行输出(Q 7 和Q \ 7 )可从最后一个阶段获得。当并行负载(PL \)输入为低电平时,来自D0至D7输入的并行数据将异步加载到寄存器中。当PL \为高电平时,数据在DS输入端串行进入寄存器并向右移一位(Q 0 →Q 1 →Q 2 < /sub>等)每个正向时钟转换。此功能允许通过在后续器件的DS输入中键入Q 7 输出来实现并行到串行转换器扩展。
对于可预测的操作,从低到高转换为CE \只应在CP为HIGH时发生。此外,在PL从低电平到高电平转换之前,CP和CE \应为低电平,以防止在PL \变为高电平时移位数据。
Technology Family |
VCC (Min) (V) |
VCC (Max) (V) |
Bits (#) |
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) |
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) |
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) |
Input Type |
3-State Output |
IOL (Max) (mA) |
Output Type |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
CD54HCT165 | CD74HCT165 |
---|---|
HCT | HCT |
4.5 | 4.5 |
5.5 | 5.5 |
8 | 8 |
25 | 25 |
0.08 | 0.08 |
50 | 50 |
TTL | TTL |
No | No |
4 | 4 |
CMOS | CMOS |
Military | Catalog |
-55 to 125 | -55 to 125 |
CDIP | PDIP SOIC |
See datasheet (CDIP) | See datasheet (PDIP) 16SOIC: 59 mm2: 6 x 9.9(SOIC) |
无样片 |