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CD54HCT165 高速 CMOS 逻辑 8 位并行输入/串行输出移位寄存器

数据:

描述

?? HC165和?? HCT165是8位并行或串行移位寄存器,具有互补串行输出(Q 7 和Q \ 7 )可从最后一个阶段获得。当并行负载(PL \)输入为低电平时,来自D0至D7输入的并行数据将异步加载到寄存器中。当PL \为高电平时,数据在DS输入端串行进入寄存器并向右移一位(Q 0 →Q 1 →Q 2 < /sub>等)每个正向时钟转换。此功能允许通过在后续器件的DS输入中键入Q 7 输出来实现并行到串行转换器扩展。

对于可预测的操作,从低到高转换为CE \只应在CP为HIGH时发生。此外,在PL从低电平到高电平转换之前,CP和CE \应为低电平,以防止在PL \变为高电平时移位数据。

特性

  • 缓冲输入
  • 异步并行负载
  • 互补输出
  • 扇出(过温度范围)
    • 标准输出。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载
    • 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载
  • 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C
  • 平衡传播延迟和转换时间
  • 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗
  • HC类型
    • 2V至6V工作
    • 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V
  • HCT类型
    • 4.5V至5.5V操作
    • 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值)
    • CMOS输入兼容性,I l V OL 时为1μA,V OH

参数 与其它产品相比 触发器/锁存器/寄存器

 
Technology Family
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Bits (#)
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA)
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns)
Input Type
3-State Output
IOL (Max) (mA)
Output Type
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
CD54HCT165 CD74HCT165
HCT     HCT    
4.5     4.5    
5.5     5.5    
8     8    
25     25    
0.08     0.08    
50     50    
TTL     TTL    
No     No    
4     4    
CMOS     CMOS    
Military     Catalog    
-55 to 125     -55 to 125    
CDIP     PDIP
SOIC    
See datasheet (CDIP)     See datasheet (PDIP)
16SOIC: 59 mm2: 6 x 9.9(SOIC)    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CD54HCT165 相关库存