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CD54HC166 高速 CMOS 逻辑 8 位并行输入/串行输出移位寄存器

数据:

描述

?? HC166和?? HCT166 8位移位寄存器采用硅栅CMOS技术制造。它具有标准CMOS集成电路的低功耗,并且可以以与等效低功率肖特基器件相当的速度工作。

?? HCT166在功能上和引脚上兼容标准?? LS166。 /p>

166是一个8位移位寄存器,具有由低电平有效并联使能(PE \)输入选择的完全同步串行或并行数据输入。当PE \在低电平到低电平时钟转换之前的一个设置时间为低电平时,并行数据输入寄存器。当PE \为高电平时,数据从串行数据输入(DS)输入内部位位置Q0,其余位按每个正向时钟向右移位(Q0→Q1→Q2等)过渡。为了与串行转换器并行扩展寄存器,Q7输出连接到后级的DS输入。

时钟输入是门控OR结构,允许一个输入用作有效低时钟使能(CE \)输入。 CP和CE \输入的引脚分配是任意的,可以反转以方便布局。 CE \输入的低电平到高电平的转换只能在CP为高电平时才能进行预测操作。

主复位(MR \)输入的低电平会覆盖所有其他输入并清除寄存器异步,强制所有位位置为低电平状态。

特性

  • 缓冲输入
  • 扇出(超温范围)
    • 标准输出... 10 LSTTL负载
    • 总线驱动器输出... 15 LSTTL负载
  • 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C
  • 平衡传播延迟和转换时间
  • 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗
  • HC类型
    • 2V至6V工作
    • 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V
  • HCT类型
    • 4.5V至5.5V操作
    • 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值)

从Harris Semiconductor获得的数据表

参数 与其它产品相比 触发器/锁存器/寄存器

 
Technology Family
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Bits (#)
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA)
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns)
Input Type
3-State Output
IOL (Max) (mA)
Output Type
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
CD54HC166 CD74HC166
HC     HC    
2     2    
6     6    
8     8    
28     28    
0.08     0.08    
32     32    
CMOS     CMOS    
No     No    
5.2     5.2    
CMOS     CMOS    
Military     Catalog    
-55 to 125     -55 to 125    
CDIP     PDIP
SOIC    
See datasheet (CDIP)     See datasheet (PDIP)
16SOIC: 59 mm2: 6 x 9.9(SOIC)    

技术文档

数据手册(1)
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