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?? HC166和?? HCT166 8位移位寄存器采用硅栅CMOS技术制造。它具有标准CMOS集成电路的低功耗,并且可以以与等效低功率肖特基器件相当的速度工作。
?? HCT166在功能上和引脚上兼容标准?? LS166。 /p>
166是一个8位移位寄存器,具有由低电平有效并联使能(PE \)输入选择的完全同步串行或并行数据输入。当PE \在低电平到低电平时钟转换之前的一个设置时间为低电平时,并行数据输入寄存器。当PE \为高电平时,数据从串行数据输入(DS)输入内部位位置Q0,其余位按每个正向时钟向右移位(Q0→Q1→Q2等)过渡。为了与串行转换器并行扩展寄存器,Q7输出连接到后级的DS输入。
时钟输入是门控OR结构,允许一个输入用作有效低时钟使能(CE \)输入。 CP和CE \输入的引脚分配是任意的,可以反转以方便布局。 CE \输入的低电平到高电平的转换只能在CP为高电平时才能进行预测操作。
主复位(MR \)输入的低电平会覆盖所有其他输入并清除寄存器异步,强制所有位位置为低电平状态。
从Harris Semiconductor获得的数据表
Technology Family |
VCC (Min) (V) |
VCC (Max) (V) |
Bits (#) |
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) |
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) |
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) |
Input Type |
3-State Output |
IOL (Max) (mA) |
Output Type |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
CD54HC166 | CD74HC166 |
---|---|
HC | HC |
2 | 2 |
6 | 6 |
8 | 8 |
28 | 28 |
0.08 | 0.08 |
32 | 32 |
CMOS | CMOS |
No | No |
5.2 | 5.2 |
CMOS | CMOS |
Military | Catalog |
-55 to 125 | -55 to 125 |
CDIP | PDIP SOIC |
See datasheet (CDIP) | See datasheet (PDIP) 16SOIC: 59 mm2: 6 x 9.9(SOIC) |
无样片 | 无样片 |