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TLE2074M JFET 输入高速低噪声四路运算放大器

数据:

描述

TLE207x系列JFET输入运算放大器的带宽是TL07x和TL08x系列BiFET运算放大器的两倍以上和压摆率的三倍。德州仪器Excalibur工艺产生的典型本底噪声为11.6 nV / Hz ,17-nV / Hz 确保最大值,立即改善使用TL07x设计的噪声敏感电路。 TLE207x还具有更宽的电源电压轨,将BiFET电路的动态信号范围增加到±19 V.偏移电压的片上齐纳调整可产生精密等级,从而在直流耦合应用中实现更高的精度。 TLE207x与低性能BiFET运算放大器引脚兼容,可轻松提高现有设计的性能。

BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不会牺牲相关的输出驱动带双极放大器。这使它们更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,它们还具有固有的更好的交流响应。

TLE207x系列BiFET放大器是德州仪器最高性能的BiFET,具有更严格的输入失调电压并确保最大噪声规格。需要不太严格的规格但寻求TLE207x改进的交流特性的设计人员应考虑使用TLE208x运算放大器系列。

由于BiFET运算放大器设计用于双电源,因此必须注意观察单电源供电时的模式输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置,并且应将负载端接到中间电源的虚拟接地节点。德州仪器(TI)TLE2426集成虚拟地发生器在使用单电源供应BiFET放大器时非常有用。

TLE207x的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低压和/或单电源供电系统,推荐使用德州仪器LinCMOS系列运算放大器(TLC和TLV前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意压摆率和带宽要求以及输出负载。

特性

  • 直接升级到TL05x,TL07x和
    TL08x BiFET运算放大器
  • 大于2倍的带宽(10 MHz)和
    3×转换速率(45 V /μs)比TL07x
  • 确保最大噪声基底17 nV / Hz
  • 用于提高直流性能的片上偏移电压调整
  • 更宽的电源轨将动态信号范围增加到±19 V

参数 与其它产品相比 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Output Current (Typ) (mA)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Architecture
IIB (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
TLE2074M TLE2074
4     4    
4.5     4.5    
38     38    
10     10    
40     40    
In to V+     In to V+    
6     5    
1.625     1.625    
Military     Catalog    
-55 to 125     -40 to 85
0 to 70    
CDIP
LCCC    
PDIP
SOIC    
30     30    
10.1     10.1    
12     12    
FET     FET    
175     175    
98     98    
See datasheet (CDIP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC)    
See datasheet (PDIP)
16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC)    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TLE2074M 相关库存