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TLE2064M JFET 输入低功耗高驱动四路运算放大器

数据:

描述

TLE206x系列低功耗JFET输入运算放大器可将前一代TL06x和TL03x BiFET系列的带宽提高一倍,而不会显着增加功耗。德州仪器Excalibur工艺还具有比TL06x和TL03x更低的本底噪声。片内齐纳调整偏移电压可为直流耦合应用提供精密等级。 TL206x器件与其他TI BiFET引脚兼容;它们可以用来使TL06x和TL03x电路的带宽加倍,或者将TL05x,TL07x和TL08x电路的功耗降低近90%。

BiFET运算放大器具有固有的更高输入阻抗JFET输入晶体管,不会牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使它们更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,它们还具有固有的更好的交流响应。 TLE206x系列具有高输出驱动电路,能够驱动100- 负载低至±5 V.这使得它们非常适合在调制解调器和其他需要良好交流特性,低功耗和高输出驱动的应用中驱动变压器负载。

因为BiFET运算放大器设计用于双电源在使用单电源供电时,必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置,并且应将负载端接到中间电源的虚拟接地节点。当使用单电源工作时,德州仪器(TI)TLE2426集成虚拟地发生器非常有用。

TLE206x的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低压和/或单电源供电系统,推荐使用德州仪器LinCMOS系列运算放大器(TLC和TLV前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意转换速率和带宽要求以及输出负载。 Texas Instrument TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器是值得考虑的绝佳选择。

特性

  • TL06x和TL03x运算放大器的2×带宽(2 MHz)
  • 低电源电流...290μA /Ch Typ
  • 片内偏移电压调整可提高直流性能
  • 高输出驱动,指定为100- 载荷
  • 比低功率BiFET的早期低噪声层

参数 与其它产品相比 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Output Current (Typ) (mA)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Architecture
IIB (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
TLE2064M TLE2064
4     4    
7     7    
36     36    
2     2    
3.4     3.4    
In to V+     In to V+    
6     6    
0.312     0.312    
Military     Catalog    
-55 to 125     -40 to 85
0 to 70    
CDIP
LCCC    
PDIP
SOIC    
45     45    
6     6    
40     40    
FET     FET    
60     60    
90     90    
See datasheet (CDIP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC)    
See datasheet (PDIP)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    

技术文档

数据手册(1)
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