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数据: TLE206xx: Excalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Op Amps 数据表
TLE206x系列低功耗JFET输入运算放大器可将前一代TL06x和TL03x BiFET系列的带宽提高一倍,而不会显着增加功耗。德州仪器Excalibur工艺还具有比TL06x和TL03x更低的本底噪声。片内齐纳调整偏移电压可为直流耦合应用提供精密等级。 TL206x器件与其他TI BiFET引脚兼容;它们可以用来使TL06x和TL03x电路的带宽加倍,或者将TL05x,TL07x和TL08x电路的功耗降低近90%。
BiFET运算放大器具有固有的更高输入阻抗JFET输入晶体管,不会牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使它们更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,它们还具有固有的更好的交流响应。 TLE206x系列具有高输出驱动电路,能够驱动100- 负载低至±5 V.这使得它们非常适合在调制解调器和其他需要良好交流特性,低功耗和高输出驱动的应用中驱动变压器负载。
因为BiFET运算放大器设计用于双电源在使用单电源供电时,必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置,并且应将负载端接到中间电源的虚拟接地节点。当使用单电源工作时,德州仪器(TI)TLE2426集成虚拟地发生器非常有用。
TLE206x的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低压和/或单电源供电系统,推荐使用德州仪器LinCMOS系列运算放大器(TLC和TLV前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意转换速率和带宽要求以及输出负载。 Texas Instrument TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器是值得考虑的绝佳选择。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Output Current (Typ) (mA) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Architecture |
IIB (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
TLE2064M | TLE2064 |
---|---|
4 | 4 |
7 | 7 |
36 | 36 |
2 | 2 |
3.4 | 3.4 |
In to V+ | In to V+ |
6 | 6 |
0.312 | 0.312 |
Military | Catalog |
-55 to 125 | -40 to 85 0 to 70 |
CDIP LCCC | PDIP SOIC |
45 | 45 |
6 | 6 |
40 | 40 |
FET | FET |
60 | 60 |
90 | 90 |
See datasheet (CDIP) 20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) | See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) |
无样片 |