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数据: Advanced LinCMOS (TM) Low-Noise Precision Operational Amplifiers 数据表
TLC220x,TLC220xA,TLC220xB和TLC220xY是采用德州仪器高级LinCMOS的精密,低噪声运算放大器?处理。这些器件将最低噪声JFET放大器的噪声性能与之前仅在双极放大器中提供的直流精度相结合。高级LinCMOS ??该工艺使用硅栅技术获得输入失调电压稳定性,其温度和时间远远超过使用金属栅极技术可获得的温度和时间。此外,该技术使输入阻抗水平达到或超过顶栅JFET和昂贵的介质隔离器件所提供的水平。
卓越的直流和噪声性能与共模输入电压的结合包括负轨的范围使这些器件成为单电源或分离电源配置中高阻抗,低电平信号调理应用的理想选择。
器件输入和输出设计为可承受100 mA浪涌电流而不会出现闩锁现象。此外,内部ESD保护电路可防止在高达2000 V的电压下出现功能故障,如MIL-PRF-38535,方法3015.2所测试;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致参数性能下降。
C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在40°C至85°C的温度范围内工作。 M后缀器件的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
高级LinCMOS是德州仪器公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Output Current (Typ) (mA) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Architecture |
IIB (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
TLC2201AM |
---|
1 |
4.6 |
16 |
1.8 |
2.5 |
In to V- Out |
0.2 |
1 |
Catalog |
-55 to 125 |
SOIC |
4.5 |
0.5 |
8 |
CMOS |
60 |
110 |
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |