LM193-N 低功耗低偏移电压双路比较器

数据： LMx93-N, LM2903-N Low-Power, Low-Offset Voltage, Dual Comparators 数据表

描述

LM193-N系列由两个独立的精密电压比较器组成，两个比较器的偏移电压规格最低可达2.0 mV，专为操作而设计来自单个电源，可在很宽的电压范围内工作。也可以使用分离式电源进行操作，并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。这些比较器还具有独特的特性，即输入共模电压范围包括地，即使是在单个电源电压下工作。

应用领域包括极限比较器，简单的模数转换器;脉冲，方波和时间延迟发生器;广泛的VCO; MOS时钟定时器;多谐振荡器和高压数字逻辑门。 LM193-N系列设计用于直接与TTL和CMOS接口。当使用正负电源工作时，LM19-N系列将直接与MOS逻辑接口，其低功耗特性优于标准比较器。

TI提供LM393和LM2903器件创新的薄DSBGA封装，带有8（12 mil）大凸块。

特性

宽电源
- 电压范围：2.0 V至36 V
- 单电源或双电源：± 1.0 V至±18 V
极低电源电流漏极（0.4 mA）??
独立于电源电压
低输入偏置电流：25 nA
低输入失调电流：±5 nA
最大失调电压：±3 mV
输入共模电压范围包括接地
差分输入电压范围等于电源电压
低输出饱和电压：250 mV at 4 mA
输出电压与TTL，DTL，ECL，MOS和CMOS逻辑系统兼容
采用8焊球（12 mil）DSBGA封装
请参阅AN-1112（SNVA009）了解DSBGA注意事项
优点
- 高精度比较器
- 降低V _OS温度漂移
- 消除对双电源的需求
- 允许感应近地
- 与所有形式的逻辑兼容
- 适用于电池操作的电源消耗< /li>

参数与其它产品相比比较器


Number of Channels (#)
Output Type
Vs (Min) (V)
Vs (Max) (V)
Propagation Delay Time (uS)
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Max) (mA)
Input Bias Current (+/-) (Max) (nA)
Rail-to-Rail
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
VICR (Max) (V)
VICR (Min) (V)