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数据： CSD16570Q5B 25V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款25V，0.49mΩ，SON 5mm×6mm NexFET™功率MOSFET用于最大限度地减小ORing和热拔插应用的电阻，不适用于开关应用。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD16570Q5B |
|---|
| 25 |
| Single |
| 0.82 |
| 0.59 |
| 400 |
| 95 |
| 31 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.5 |
| 456 |
| 100 |
| Yes |
型号：CSD16570Q5B 封装：VSON8_5X6MM
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=590mΩ@10V
金额：￥
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