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数据: CSD19502Q5B 80V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)
这款3.4mΩ,80V,SON 5mm x 6mm NexFET™功率MOSFET被设计成功转换应用中大降低损耗。
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VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
CSD19502Q5B | CSD19501KCS | CSD19503KCS | CSD19505KCS | CSD19506KCS |
---|---|---|---|---|
80 | 80 | 80 | 80 | 80 |
Single | Single | Single | Single | Single |
4.1 | 6.6 | 9.2 | 3.1 | 2.3 |
400 | 305 | 247 | 400 | 400 |
48 | 38 | 28 | 76 | 120 |
8.6 | 5.8 | 5.4 | 11 | 20 |
SON5x6 | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
2.7 | 2.6 | 2.8 | 2.6 | 2.5 |
157 | 129 | 94 | 208 | 273 |
100 | 100 | 100 | 150 | 150 |
No | No | No | No | No |
型号:CSD19502Q5B 封装:VSON-CLIP8
品牌:TI 描述:MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=100A P=195W VSON-CLIP8
金额:¥7.86920
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