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这款30V，8.7mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET™功率MOSFET用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗提供了灵活性和便利性。
所有商标均为其所有各自所有者。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17579Q3A |
|---|
| 30 |
| Single |
| 14.2 |
| 10.2 |
| 106 |
| 5.3 |
| 1.2 |
| SON3x3 |
| 20 |
| 1.5 |
| 39 |
| 20 |
| Yes |
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