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这款采用5mm×6mm SON封装的60V，2.7mΩNexFET™功率MOSFET，旨在最大限度地降低功率转换应用。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18532NQ5B |
|---|
| 60 |
| Single |
| 3.4 |
| 400 |
| 49 |
| 7.9 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 2.8 |
| 163 |
| 100 |
| Yes |
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