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数据： CSD88537ND 双路 60V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款双路小外形尺寸（SO）-8,60V，12.5mΩNexFET功率MOSFET用途低电流电机控制应用中的半桥。
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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 60°C /W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的铜焊盘上测得的典型值
| VDS (V) |
| Logic Level |
| RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| QG Typ (nC) |
| Configuration |
| Package (mm) |
| Operating Temperature Range (C) |
| QGS Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| CSD88537ND | CSD88539ND |
|---|---|
| 60 | 60 |
| No | No |
| 12.5 | 23 |
| 15 | 28 |
| 62 | 46 |
| 16 | 11.7 |
| 14 | 14 |
| Dual | Dual |
| SO-8 | SO-8 |
| -55 to 150 | -55 to 150 |
| 4.6 | 4.6 |
| 2.3 | 2.3 |
| 20 | 20 |
| 3 | 3 |
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