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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD17570Q5B 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B

数据： CSD17570Q5B 30V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D)

描述

这款30V，0.56mΩ，SON 5mm×6mmNexFET™功率MOSFET用于最大限度地减小ORing和热拔插应用的电阻，不可用于开关应用。

特性

超低电阻
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合RoHS标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON）5mm x 6mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD17570Q5B
30
Single
0.92
0.69
400
93
34
SON5x6
20
1.5
407
100
Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD17570Q5B 30V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D)

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