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这款90mΩ,30V N通道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60%以上。
所有商标均为其各自所有者的财产。
VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
Logic Level |
CSD17381F4 |
---|
30 |
Single |
117 |
109 |
10 |
1.04 |
0.133 |
LGA 1.0 x 0.6mm |
110 |
12 |
0.85 |
Yes |