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CSD17381F4 N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17381F4

数据:

描述

这款90mΩ,30V N通道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60%以上。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402外壳尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
    < /li>
  • 超薄
    • 高度0.35mm
  • 集成型静电放电(ESD)保护二极管
    • 额定值&gt ; 4kV人体放电模型(HBM)
    • 额定值&gt; 2kV充电器件模型(CDM)
  • 无先且无卤素
  • 符合RoHS标准

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD17381F4
30    
Single    
117    
109    
10    
1.04    
0.133    
LGA 1.0 x 0.6mm    
110    
12    
0.85    
Yes    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
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