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数据： CSD19501KCS 80V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款80V，5.5mΩ，TO-220 NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。最大R θJC = 0.7，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1％
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD19501KCS | CSD19502Q5B | CSD19503KCS | CSD19505KCS | CSD19506KCS |
|---|---|---|---|---|
| 80 | 80 | 80 | 80 | 80 |
| Single | Single | Single | Single | Single |
| 6.6 | 4.1 | 9.2 | 3.1 | 2.3 |
| 305 | 400 | 247 | 400 | 400 |
| 38 | 48 | 28 | 76 | 120 |
| 5.8 | 8.6 | 5.4 | 11 | 20 |
| TO-220 | SON5x6 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 2.6 | 2.7 | 2.8 | 2.6 | 2.5 |
| 129 | 157 | 94 | 208 | 273 |
| 100 | 100 | 100 | 150 | 150 |
| No | No | No | No | No |
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