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CSD18502Q5B 40V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据:

描述

此40V,1.8mΩ,5mm×6mmNexFET™功率MOSFET被设计成功转换应用中大降低损耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合RoHS环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线(SON)5mm x 6mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18502Q5B
40    
Single    
3.3    
2.3    
400    
52    
8.4    
SON5x6    
20    
1.8    
204    
100    
Yes    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD18502Q5B 相关库存
  • MOSFETs

    型号:CSD18502Q5B 封装:VSON-CLIP8

    品牌:TI 描述:表面贴装型 N 通道 40 V 26A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)

    金额:¥7.57685

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