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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD19532Q5B N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19532Q5B

数据： CSD19532Q5B 100V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)

描述

这款100V，4mΩ，SON 5mm×6mm NexFET™功率MOSFET被设计成功转换应用中大降低损耗。

特性

低Q _g和Q _gd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素
SON 5mm ×6mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD19532Q5B	CSD19531KCS	CSD19531Q5A	CSD19533KCS	CSD19533Q5A	CSD19534Q5A	CSD19535KCS	CSD19536KCS	CSD19537Q3
100	100	100	100	100	100	100	100	100
Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
4.9	7.7	6.4	10.5	9.5	15.1	3.6	2.7	14.5
400	285	337	207	231	137	400	400	219
48	38	37	27	27	17	78	118	16
8.7	7.5	6.6	5.4	4.9	3.2	13	17	2.9
SON5x6	TO-220	SON5x6	TO-220	SON5x6	SON5x6	TO-220	TO-220	SON3x3
20	20	20	20	20	20	20	20	20
2.6	2.7	2.7	2.8	2.8	2.8	2.7	2.5	3
140	110	110	86	75	44	187	259	53
100	100	100	100	100	40	150	150	50
No	No	No	No	No	No	No	No	No

技术文档

数据手册（1）

CSD19532Q5B 100V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)

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