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此0.84mΩ，30V，SON 5mm×6mm NexFET™功率MOSFET被设计成功转换应用中大降低损耗。
所有商标均为其所有各自所有者。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17573Q5B |
|---|
| 30 |
| Single |
| 1.45 |
| 1 |
| 400 |
| 49 |
| 11.9 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.4 |
| 332 |
| 100 |
| Yes |
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