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数据： CSD18532Q5B 60V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D)
这款采用5mm×6mm SON封装的2.5mΩ，60V NexFET™功率MOSFET，用于最大程度的降低功率转换应用中的损耗。 /p>
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18532Q5B |
|---|
| 60 |
| Single |
| 4.3 |
| 3.2 |
| 400 |
| 44 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.8 |
| 172 |
| 100 |
| Yes |
型号：CSD18532Q5B 封装：VSON-CLIP8
品牌：TI 描述：表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
金额：￥6.18000
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