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数据: CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表
这款100V,13.7mΩ,TO-220 NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低损耗。
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VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
CSD19534KCS |
---|
100 |
Single |
16.5 |
138 |
16.4 |
3.3 |
TO-220 |
20 |
2.8 |
54 |
100 |
No |