CSD18537NQ5A 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

描述

这款10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R _θJA = 40°C /W，这是在一个厚度0.06英寸环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸²，2盎司的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大R _θJC = 2.1°C /W，脉冲持续时间≤100μs，占空比
≤1％


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18537NQ5A	CSD18531Q5A	CSD18533Q5A	CSD18534Q5A	CSD18540Q5B
60	60	60	60	60
Single	Single	Single	Single	Single
	5.8	8.5	12.4	3.3
13	4.6	5.9	9.8	2.2
151	300	267	229	400
14	36	29	17	41
2.3	5.9	5.4	3.5	6.7
SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON5x6
20	20	20	20	20
3	1.8	1.9	1.9	1.9
54	134	103	69	221
50	100	100	50	100
No	Yes	Yes	Yes	Yes

数据手册（1）

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