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CSD19538Q2 CSD19538Q2

数据:

描述

这款100V,49mΩ,采用2mm×2mm SON封装的NexFET™功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线(SON)2mm x 2mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19538Q2 CSD19537Q3 CSD19538Q3A
100     100     100    
Single       Single    
59     14.5     61    
34.4     219     36    
4.3     16     4.3    
0.8     2.9     0.8    
SON2x2     SON3x3     SON3x3    
20     20     20    
3.2     3     3.2    
13.1     53     13.7    
14.4     50     15    
No     No     No    

技术文档

数据手册(1)
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