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这款100V,49mΩ,采用2mm×2mm SON封装的NexFET™功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
所有商标均为其各自所有者的财产。
VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
ID, package limited (A) |
Logic Level |
CSD19538Q2 | CSD19537Q3 | CSD19538Q3A |
---|---|---|
100 | 100 | 100 |
Single | Single | |
59 | 14.5 | 61 |
34.4 | 219 | 36 |
4.3 | 16 | 4.3 |
0.8 | 2.9 | 0.8 |
SON2x2 | SON3x3 | SON3x3 |
20 | 20 | 20 |
3.2 | 3 | 3.2 |
13.1 | 53 | 13.7 |
14.4 | 50 | 15 |
No | No | No |