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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD19536KTT CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. B)

描述

这款100V，2mΩ，D ² PAK（TO-263）NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。

特性

超低Q _g和Q _gd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素
D ² PAK塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD19536KTT	CSD18535KTT	CSD18536KTT	CSD18542KTT	CSD19505KTT	CSD19506KTT	CSD19532KTT	CSD19535KTT
100	60	60	60	80	80	100	100
Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
	2.9	2.2	5.1
2.4	2	1.6	4	3.1	2.3	5.6	3.4
400	400	400	400	400	400	400	400
118	63	108	44	76	120	44	75
17	10.4	14	6.9	11	20	17	11
D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
20	20	20	20	20	20	20	20
2.5	1.9	1.8	1.8	2.6	2.5	2.6	2.7
272	279	349	170	212	291	136	197
200	200	200	200	200	200	200	200
No	Yes	Yes	Yes	No	No	No	No

技术文档

数据手册（1）

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. B)

元器件购买 CSD19536KTT 相关库存

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