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这种12V,15mΩ,N沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
VDS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
Package (mm) |
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
VGS (V) |
VGSTH Typ (V) |
Logic Level |
CSD13385F5 | CSD13380F3 | CSD13381F4 | CSD13383F4 | CSD17585F5 |
---|---|---|---|---|
12 | 12 | 12 | 12 | 30 |
Single | Single | Single | Single | Single |
19 | 76 | 180 | 44 | 33 |
27 | ||||
41 | 13.5 | 7 | 27 | 34 |
3.9 | 0.91 | 1.06 | 2 | 1.9 |
0.39 | 0.15 | 0.14 | 0.6 | 0.39 |
LGA 0.8x1.5 | LGA0.6x0.7 | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 0.8x1.5 |
18 | 73 | 170 | 53 | |
8 | 8 | 8 | 10 | 20 |
0.8 | 0.85 | 0.85 | 1 | 1.3 |
Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |