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CSD13385F5 12V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据:

描述

这种12V,15mΩ,N沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。

特性

  • 低导通电阻
  • 低Q g 和Q gd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
  • 薄型
    • 高度为0.35mm < /li>
  • 集成静电放电(ESD)保护二极管
    • 额定值&gt; 4kV人体模型(HBM)
    • 额定值&gt;
    • 符合RoHS环境标准
    • small>所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD13385F5 CSD13380F3 CSD13381F4 CSD13383F4 CSD17585F5
12     12     12     12     30    
Single     Single     Single     Single     Single    
19     76     180     44     33    
        27    
41     13.5     7     27     34    
3.9     0.91     1.06     2     1.9    
0.39     0.15     0.14     0.6     0.39    
LGA 0.8x1.5     LGA0.6x0.7     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 0.8x1.5    
18     73     170     53      
8     8     8     10     20    
0.8     0.85     0.85     1     1.3    
Yes     Yes     Yes     Yes     Yes    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD13385F5 相关库存