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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD17382F4 CSD17382F4

数据： CSD17382F4 30V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. A)

描述

这种30V，54mΩ，N沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60％以上。

特性

低导通电阻
低Q _g和Q _gd
低阈值电压
超小型封装尺寸（0402外壳尺寸）
- 1.0mm×0.6mm
超薄
- 高度为0.35mm
集成型静电放电（ESD）保护二极管
- 额定值＆gt; 3kV人体模型（HBM）
- 额定值＆gt;
- 无铅且无卤素small>所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level

CSD17382F4	CSD13381F4	CSD13383F4	CSD17484F4
30	12	12	30
Single	Single	Single	Single
67	180	44	128
14.8	7	27	18
2.1	1.06	2	0.92
0.63	0.14	0.6	0.075
LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 1.0 x 0.6mm	LGA 1.0x0.6mm
67	170	53	125
10	8	10	12
0.9	0.85	1	0.85
Yes	Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD17382F4 30V N 沟道 FemtoFETMOSFET 数据表 (Rev. A)

元器件购买 CSD17382F4 相关库存

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