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此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图R θJA = 119°C /W，这是在厚度为0.06英寸的环氧板（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 2盎司铜过渡片上测得的典型值。脉宽≤10μs，占空比≤2％
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25211W1015 |
|---|
| -20 |
| -6 |
| Single |
| 33 |
| 44 |
| -9.5 |
| -3.2 |
| 3.4 |
| 0.2 |
| 1.1 |
| -0.8 |
| WLP 1.0x1.5 |
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