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数据： CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
CSD75207W15器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。此器件也已经被授予美国专利7952145,7420247,7235845和6600182.
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD75207W15 |
|---|
| -20 |
| -6 |
| Dual Common Source |
| 27 |
| 39 |
| 81 |
| -24 |
| -3.9 |
| 2.9 |
| 0.4 |
| 0.7 |
| -0.8 |
| WLP 1.5x1.5 |
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