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这款100V，49mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电（PoE）应用中的电路板尺寸。
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD19538Q3A | CSD19537Q3 | CSD19538Q2 |
|---|---|---|
| 100 | 100 | 100 |
| Single | Single | |
| 61 | 14.5 | 59 |
| 36 | 219 | 34.4 |
| 4.3 | 16 | 4.3 |
| 0.8 | 2.9 | 0.8 |
| SON3x3 | SON3x3 | SON2x2 |
| 20 | 20 | 20 |
| 3.2 | 3 | 3.2 |
| 13.7 | 53 | 13.1 |
| 15 | 50 | 14.4 |
| No | No | No |
型号：CSD19538Q3A 封装：VSONP8_3.25X3.1MM
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A P=53W VSONP8_3.25X3.1MM
金额：￥3.49170
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