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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD23382F4 P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

数据： CSD23382F4 12V P 通道 FemtoFET MOSFET 数据表 (Rev. C)

描述

此66mΩ，12V P通道FemtoFET MOSFET被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少60％的同时，替代标准的小信号MOSFET。

特性

低导通电阻
超低Q _g和Q _{gd < /sub>}
超小型封装尺寸（0402外壳尺寸）
- 1.0mm×0.6mm
低高度
- 最大高度0.35mm
集成型静电放电（ESD）保护二极管
- 额定值＆gt; 2kV人体模型（HBM）
- 额定值＆gt; 2kV充电器件模型（CDM）
无铅端子镀层
无卤素
符合RoHS环保标准

应用范围

针对负载开关应用进行了优化
针对通用开关应用进行了优化
电池类应用
手持式和移动类应用

参数与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)

CSD23382F4	CSD23280F3	CSD25480F3	CSD25501F3
-12	-12	-20	-20
-8	-6	-12	-20
Single	Single	Single	Single
76	116	159	76
105	165	260	125
199	250	840	260
-22	-11.4	-10.4	-13.6
-3.5	-1.8	-1.7	-3.6
1.04	0.95	0.7	1.02
0.15	0.068	0.1	0.09
0.5	0.3	0.26	0.45
-0.8	-0.65	-0.95	-0.75
LGA 0.6x1.0	LGA 0.6x0.7	LGA 0.6x0.7	LGA 0.6x0.7

技术文档

数据手册（1）

CSD23382F4 12V P 通道 FemtoFET MOSFET 数据表 (Rev. C)

元器件购买 CSD23382F4 相关库存

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