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这款-20V,5.5mΩNexFET功率金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用3.3mm×3.3mm小外形尺寸无引线(SON)封装,可提供出色的封装散热性能。
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VDS (V) |
VGS (V) |
Configuration |
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
Id Peak (Max) (A) |
Id Max Cont (A) |
QG Typ (nC) |
QGD Typ (nC) |
QGS Typ (nC) |
VGSTH Typ (V) |
Package (mm) |
CSD25404Q3 | CSD25310Q2 | CSD25402Q3A |
---|---|---|
-20 | -20 | -20 |
-12 | -8 | -12 |
Single | Single | Single |
6.5 | 23.9 | 8.9 |
12.1 | 32.5 | 15.9 |
150 | 89 | 300 |
-240 | -48 | -82 |
-18 | -9.6 | -15 |
10.8 | 3.6 | 7.5 |
2.2 | 0.5 | 1.1 |
2.8 | 1.1 | 2.4 |
-0.9 | -0.85 | -0.9 |
SON 3x3 | SON 2x2 | SON 3x3 |