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CSD25404Q3 CSD25404Q3

数据:

描述

这款-20V,5.5mΩNexFET功率金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用3.3mm×3.3mm小外形尺寸无引线(SON)封装,可提供出色的封装散热性能。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 低R DS(上)
  • 无卤素
  • 符合RoHS标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线(SON)3.3mm×3.3mm塑料封装

应用

  • 直流 - 直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

所有商标均为其各自的商标。拥有者。

参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25404Q3 CSD25310Q2 CSD25402Q3A
-20     -20     -20    
-12     -8     -12    
Single     Single     Single    
6.5     23.9     8.9    
12.1     32.5     15.9    
150     89     300    
-240     -48     -82    
-18     -9.6     -15    
10.8     3.6     7.5    
2.2     0.5     1.1    
2.8     1.1     2.4    
-0.9     -0.85     -0.9    
SON 3x3     SON 2x2     SON 3x3    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD25404Q3 相关库存