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这款29mΩ，-12V P沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD23285F5 |
|---|
| -12 |
| -6 |
| Single |
| 35 |
| 47 |
| 80 |
| -31 |
| -3.3 |
| 3.2 |
| 0.48 |
| 0.66 |
| -0.65 |
| LGA 0.8x1.5 |
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