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LMG3410 LMG3410 Spitfire - 具有集成驱动器和安全开关的智能 GaN FET

数据:

描述

LMG3410单通道氮化镓(GaN)功率级包含一个70mΩ,600V GaN功率晶体管,一个优化的驱动器,并且内置 - 采用低电感8 mm×8 mm QFN封装,提供保护。与基于硅FET的解决方案相比,LMG3410功率级与TI ?? sanalog和数字电源转换控制器相结合,使设计人员能够创建更小,更高效和更高性能的设计。这些优势在隔离的高压工业,电信,企业计算和可再生能源应用中尤为重要。

凭借其集成的驱动器和零反向恢复电流等特性,LMG3410可在硬开关应用中提供可靠的性能,可显着降低开关损耗高达80%。与独立的GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了内置智能,可用于温度,电流和欠压锁定(UVLO)故障保护。

最后,外部可调节的压摆率和低电感QFN封装可最大限度地减少开关损耗,电压振铃和电噪声的产生

特性

  • 用于12A操作的70mΩ,600V GaN功率级
  • 集成栅极驱动器
    • 零公共源电感
    • 20-ns传播延迟
    • 1MHz操作
    • 仅单+ 12V非调节电源
    • 集成栅极驱动器BiasSupply
  • 内置保护, FAULT 输出信号
    • 高速过流保护< 100ns响应时间
    • 过温保护
    • 所有SupplyRails上的UVLO保护
  • 可切换的外部可调驱动强度性能和EMI控制
    • 支持25至100 V /ns
    • 栅极驱动电感无妥协
  • 辅助5V LDO输出
  • 低电感8mm x 8mm QFN封装,易于布局和设计

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 GaN FET 模块

 
Configuration
VDS (Max) (V)
ID (Max) (A)
RDS (on) (Milliohm)
Coss (pF)
VCC (V)
Logic Level
Prop Delay (ns)
Control Method
LMG3410 LMG5200
Single-Channel Power Stage     Half Bridge Power Stage    
600     80    
12     10    
70     15    
71     266    
12     5    
3V to 5V CMOS and TTL     3V to 5V CMOS and TTL    
20     29.5    
External     External    

方框图 (2)