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LMG1020 具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器

数据:

描述

LMG1020器件是一款单通道低侧GaN驱动器,专为高速驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET而设计应用中,低功耗是一个关键问题.LMG1020的设计简单,可实现2.5纳秒的极快传播延迟。通过分别连接栅极与OUTH与OUTL之间的外部电阻器,可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。 /p>

GaN驱动器提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(OTP)。

LMG1020的0.8mm×1.2mm WCSP封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度应用中,中对于高效率,高电源密度和稳健性的需求。

特性

  • 用于GaN和硅质FET的低侧,超快栅极驱动器
  • 1ns最小脉冲
  • 工作频率高达60MHz
  • 传播延迟:典型值2.5ns,最大值4.5ns
  • 典型上升和下降时间400ps
  • 7A峰值拉电流和5A峰值灌电流
  • UVLO和过热保护
  • 0.8mm×1.2mm WCSP封装

所有商标均为他们各自的所有者。

参数 与其它产品相比 GaN FET 驱动器

 
Driver Configuration
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
LMG1020 LM5113-Q1 LMG1205 LMG1210
Low Side     Half Bridge     Half Bridge     Half Bridge    
1     2     2     2    
MOSFET
GaNFET    
MOSFET
GaNFET    
MOSFET
GaNFET    
MOSFET
GaNFET    
  90     90     200    
7     5     5     3    
4.75     4.5     4.5     6    
5.25     5.5     5.5     18    
0.21     7     7     0.5    
0.21     3.5     3.5     0.5    
2.5     30     35     10    
TTL     TTL     TTL     TTL    
Catalog     Automotive     Catalog     Catalog    
-40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125    
DSBGA     WSON     DSBGA     WQFN    
See datasheet (DSBGA)     See datasheet (WSON)     See datasheet (DSBGA)     19WQFN: 12 mm2: 4 x 3(WQFN)    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
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