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LMC660 CMOS四路运算放大器非常适合单电源供电。它的工作电压范围为+ 5V至+ 15.5V,除了包括接地的输入共模范围外,还具有轨到轨输出摆幅。过去困扰CMOS放大器的性能限制不是这种设计的问题。输入V OS ,漂移和宽带噪声以及电压增益到实际负载(2kΩ和600Ω)都等于或优于广泛接受的双极性等效电路。
芯片采用TI先进的双多晶硅栅极CMOS工艺制造。
请参阅LMC662数据表,了解具有相同功能的双CMOS运算放大器。
所有商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
Input Bias Current (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
LMC660 |
---|
4 |
4.75 |
15.5 |
1.4 |
1.1 |
In to V- Out |
3 |
0.38 |
22 |
Catalog |
-40 to 85 0 to 70 |
PDIP SOIC |
See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) |
1.3 |
N/A |
0.2 |
83 |
21 |
CMOS |