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LMC660 CMOS 四路运算放大器

数据:

描述

LMC660 CMOS四路运算放大器非常适合单电源供电。它的工作电压范围为+ 5V至+ 15.5V,除了包括接地的输入共模范围外,还具有轨到轨输出摆幅。过去困扰CMOS放大器的性能限制不是这种设计的问题。输入V OS ,漂移和宽带噪声以及电压增益到实际负载(2kΩ和600Ω)都等于或优于广泛接受的双极性等效电路。

芯片采用TI先进的双多晶硅栅极CMOS工艺制造。

请参阅LMC662数据表,了解具有相同功能的双CMOS运算放大器。

特性

  • 轨到轨输出摆幅
  • 指定为2kΩ和600Ω负载
  • 高电压增益:126 dB
  • 低输入失调电压:3 mV
  • 低偏移电压漂移:1.3μV/°C
  • 超低输入偏置电流:2 fA
  • 输入共模范围包括V -
  • + 5V至+ 15.5V电源的工作范围
  • I SS =375μA/放大器;独立于V +
  • 低失真:10%时0.01%
  • 压摆率:1.1 V /μs

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
LMC660
4    
4.75    
15.5    
1.4    
1.1    
In to V-
Out    
3    
0.38    
22    
Catalog    
-40 to 85
0 to 70    
PDIP
SOIC    
See datasheet (PDIP)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
1.3    
N/A    
0.2    
83    
21    
CMOS    

方框图 (1)