TLC274B LinCMOS™ 精密四路运算放大器

TLC274和TLC279四通道运算放大器结合了多种输入失调电压等级，具有低失调电压漂移，高输入阻抗，低噪声和接近速度通用BiFET器件的那种。

这些器件采用德州仪器（TI）的硅栅LinCMOS ^TM 技术，该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。

极高的输入阻抗，低偏置电流和高压摆率使这些经济高效的器件非常适用于之前为BiFET和NFET产品预留的应用。提供四种偏移电压等级（C后缀和I后缀类型），范围从低成本TLC274（10 mV）到高精度TLC279（900 uV）。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般而言，LinCMOS ^TM 运算放大器可提供与双极技术相关的许多功能，而不会对双极技术造成功率损失。 TLC274和TLC279可轻松设计一般应用，如换能器接口，模拟计算，放大器模块，有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电，非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA的浪涌电流，而不会出现闩锁现象。

TLC274和TLC279采用内部ESD保护电路，可防止在MIL-STD-883C，方法3015.2下测试的高达2000 V电压下的功能故障;但是，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M-suffix器件的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。