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TLC274 四路单电源运算放大器

数据:

描述

TLC274和TLC279四通道运算放大器结合了多种输入失调电压等级,具有低失调电压漂移,高输入阻抗,低噪声和接近速度通用BiFET器件的那种。

这些器件采用德州仪器(TI)的硅栅LinCMOS TM 技术,该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。

极高的输入阻抗,低偏置电流和高压摆率使这些经济高效的器件非常适用于之前为BiFET和NFET产品预留的应用。提供四种偏移电压等级(C后缀和I后缀类型),范围从低成本TLC274(10 mV)到高精度TLC279(900 uV)。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般而言,LinCMOS TM 运算放大器可提供与双极技术相关的许多功能,而不会对双极技术造成功率损失。 TLC274和TLC279可轻松设计一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电,非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项,包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA的浪涌电流,而不会出现闩锁现象。

TLC274和TLC279采用内部ESD保护电路,可防止在MIL-STD-883C,方法3015.2下测试的高达2000 V电压下的功能故障;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M-suffix器件的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

特性

  • 修整偏移电压:
  • TLC279 ... 900 uV Max at 25°C,V DD < /sub> = 5 V
  • 输入偏移电压漂移...通常为0.1 uV /月,包括前30天
  • 超出指定温度范围的宽范围电源电压:
  • 0°C至70°C ... 3 V至16 V
  • -40°C至85°C ... 4 V至16 V
  • -55°C至125°C ... 4 V至16 V
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围延伸至负电压轨以下(C-Suffix和I-Suffix版本)
  • 低噪音......通常为25 nV / Hz \ f = 1 kHz
  • 输出电压范围包括负轨
  • 高输入阻抗... 10 12 典型
  • ESD保护电路
  • 小型封装选项也适用于卷带和光盘< /li>
  • 设计闩锁免疫

LinC MOS是德州仪器公司的商标。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLC274 TLC271 TLC272
4     1     2    
3     3     3    
16     16     16    
0.32     0.32     0.32    
3.6     3.6     3.6    
In to V-     In to V-     In to V-    
10     10     10    
0.675     0.675     0.7    
25     25     25    
Catalog     Catalog     Catalog    
-40 to 85
-55 to 125
0 to 70    
-40 to 85
-55 to 125
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
PDIP
SO
SOIC
SSOP
TSSOP    
PDIP
SO
SOIC
TSSOP    
PDIP
SO
SOIC
TSSOP    
See datasheet (PDIP)
14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)
14SSOP: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SSOP)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)    
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)    
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)    
1.8     1.8     1.8    
N/A     Shutdown     N/A    
60     60     60    
80     80     80    
10     10     10    
CMOS     CMOS     CMOS    

技术文档

数据手册(1)
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