TLV2316-Q1 10MHz、轨至轨输入/输出、低电压、1.8V CMOS 运算放大器

数据： TLVx316-Q110MHz、轨到轨输入/输出、低电压、1.8V CMOS 运算放大器数据表 (Rev. B)

描述

TLV316-Q1（单路），TLV2316-Q1（双路）和TLV4316-Q1（四路）器件构成了低功耗通用运算放大器系列。该器件系列将轨至轨输入和输出摆幅，低静态电流（每通道的典型值为400μA）等特性与10MHz的较宽带宽和超低噪声（1kHz时为12nV /√ Hz ）相结合，因此适用于要求兼具快速特性与良好功率比的电路。低输入偏置电流支持在源阻抗高达兆欧级的应用.TLVx316 -Q1的低输入偏置电流产生的电流噪声极低，该器件系列因此备受高阻抗传感器接口的青睐。

TLVx316-Q1采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成RFI和EMI抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相，并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV HBM）。

此类器件经过优化，适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作。产品组合中最新补充的这款低压CMOS运算放大器与TLVx313-Q1和TLVx314-Q1系列相结合，为用户提供了广泛的带宽，噪声和功率选项，可以满足各种应用的需求提供了灵活性和便利性。

特性

符合汽车应用要求
具有符合AEC-Q100标准的下列结果：
- 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围
- 器件人体放电模型（HBM）静电放电（ESD）分类等级3A
- 带电器件模型（CDM） ESD分类等级C5
单位增益带宽：10MHz
低I _Q：每通道400μA
- 出色的功率带宽比
- 在温度和电源电压范围内保持稳定的I _Q
宽电源电压范围：1.8V至5.5V
低噪声：1kHz时为12nV /√ Hz
低输入偏置电流：±10pA
偏移电压：±0.75mV
单位增益稳定
内部射频干扰（RFI）和电磁干扰（EMI）滤波器
通道数量：
- TLV316-Q1：1
- TLV2316-Q1：2
- TLV4316-Q1：4
- 扩展温度范围：-40°C至+ 125°C
所有tr ademarks是其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比通用运算放大器


Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture

TLV2316-Q1	TLV2316	TLV316	TLV4316	TLV4316-Q1	TLV9062
2	2	1	4	4	2
1.8	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8
5.5	5.5	5.5	5.5	5.5	5.5
10	10	10	10	10	10
6	6	6	6	6	6.5
In Out	In Out	In Out	In Out	In Out	In Out
3	3	3	3	3	1.6
0.4	0.4	0.4	0.4	0.4	0.538
12	12	12	12	12	16
Automotive	Catalog	Catalog	Catalog	Automotive	Catalog
-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125
VSSOP	SOIC VSSOP	SC70 SOT-23	SOIC TSSOP	TSSOP	SOIC TSSOP VSSOP WSON
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP)	8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP)	5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70) 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23)	14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)	14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)	8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP) 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) See datasheet (WSON)
2	2	2	2	2	0.53
Cost Optimized EMI Hardened	Cost Optimized EMI Hardened	Cost Optimized EMI Hardened Small Size	Cost Optimized EMI Hardened	Cost Optimized EMI Hardened	Cost Optimized EMI Hardened Small Size
90	90	90	90	90	103
50	50	50	50	50	50
CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS