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TLVx170系列是抗电磁干扰（EMI）型，36V单电源低噪声运算放大器（运放），1kHz下的总谐波失真+噪声（THD + N）为0.0002％，能够在2.7V（±1.35V）至36V（±18V）的电源电压范围内运行。这些特性结合低噪声和超高电源抑制比（PSRR）使得单通道TLV170，双通道TLV2170和四通道TLV4170成为毫伏级信号放大的理想选择.TLVx170系列器件还具有良好的偏移，漂移和带宽以及低静态电流特性。
大多数运算放大器仅有一个指定的电源电压，TLVx170系列运算放大器则有所不同，其可在2.7V至36V的电压范围内额定运行，超过电源轨的输入信号摆幅不会导致反相.TLVx170系列同时也是单位增益稳定的精密运算放大器，容性负载为200pF，带宽为1.2MHz，转换率为0.4V /μs，非常适用于电流 - 电压转换器。
器件输入可在负电源轨以下100mV以及正电源轨2V之正常运行，但满轨到轨输入的性能会受到影响.TLVx170器件的额定运行温度范围为-40°C至+ 125℃。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| TLV2170 | TLV170 | TLV4170 |
|---|---|---|
| 2 | 1 | 4 |
| 2.7 | 2.7 | 2.7 |
| 36 | 36 | 36 |
| 1.2 | 1.2 | 1.2 |
| 0.4 | 0.4 | 0.4 |
| Out | Out | Out |
| 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 0.125 | 0.125 | 0.125 |
| 22 | 22 | 22 |
| Catalog | Catalog | Catalog |
| -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
| SOIC VSSOP | SOIC SOT-23 | SOIC TSSOP |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) |
| 2 | 2 | 2 |
| Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened |
| 110 | 110 | 110 |
| 17 | 17 | 17 |
| CMOS | CMOS | CMOS |
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