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TLC27L2B LinCMOS™ 精密二路运算放大器

数据:

描述

TLC27L2和TLC27L7双运算放大器结合了多种输入失调电压等级,具有低失调电压漂移,高输入阻抗,极低功耗和高

这些器件使用的是德州仪器公司的硅栅LinCMOS ??该技术可提供远远超过传统金属栅极工艺稳定性的偏移电压稳定性。

极高的输入阻抗,低偏置电流和低功耗使这些经济高效的器件成为高增益的理想选择,低频,低功率应用。提供四种偏移电压等级(C后缀和I后缀类型),范围从低成本TLC27L2(10 mV)到高精度TLC27L7(500μV)。这些优势与良好的共模抑制和电源电压抑制相结合,使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般情况下, LinCMOS提供了许多与双极技术相关的功能?运算放大器,没有双极技术的功率损失。 TLC27L2和TLC27L7可轻松设计一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源工作和超低功耗特性,非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。

提供多种封装选项,包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA的浪涌电流,而不会出现闩锁现象。

TLC27L2和TLC27L7内置ESD保护电路,可防止电压高达2000 V时出现功能故障在MIL-STD-883C,方法3015.2下测试;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-Suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M-suffix器件的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

特性

  • 修整偏移电压:TLC27L7 ...在25°C时最大500μV,V DD = 5 V < /li>
  • 输入偏移电压漂移。 。 。通常0.1μV/月,包括前30天
  • 在特定温度范围内的宽范围供电电压:&gt;
      0°C至70°C ... 3 V至16 V
      -40°C至85°C ... 4 V至16 V
      -55 °C至125°C ... 4 V至16 V
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围延伸至负电压轨以下(C-后缀,I-Suffix类型)
  • 超低功耗... 25°C时典型值为95μW,V DD = 5 V
  • 输出电压范围包括负轨
  • 高输入阻抗... 10 12 Typ
  • ESD保护电路
  • 小型封装选项也适用于卷带
  • 设计闩锁抗扰度

LinCMOS是德州仪器的商标。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLC27L2B TLC27L1B TLC27L4B
2     1     4    
3     3     3    
16     16     16    
0.085     0.085     0.085    
0.03     0.03     0.03    
In to V-     In to V-     In to V-    
2     2     2    
0.01     0.01     0.01    
68     68     68    
Catalog     Catalog     Catalog    
-40 to 85
0 to 70    
0 to 70     -40 to 85
0 to 70    
PDIP
SOIC    
SOIC     PDIP
SOIC    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)     See datasheet (PDIP)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
1.1     1.1     1.1    
N/A     N/A     N/A    
60     60     60    
94     94     94    
10     1     10    
CMOS     CMOS     CMOS    

技术文档

数据手册(1)
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