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TLC27L1B LinCMOS™ 低功耗运算放大器

数据:

描述

TLC27L1运算放大器结合了多种输入失调电压等级,具有低失调电压漂移和高输入阻抗。此外,TLC27L1是TLC271可编程放大器的低偏置版本。这些器件使用德州仪器公司的硅栅LinCMOS ??该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。

有三种偏置电压等级可供选择(C后缀和I后缀类型),范围从低 - 成本为TLC27L1(10 mV)至TLC27L1B(2 mV)低偏移版本。极高的输入阻抗和低偏置电流,以及良好的共模抑制和电源电压抑制,使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。

一般来说,LinCMOS中有许多与双极技术相关的功能?运算放大器,没有双极技术的功率损失。 TLC27L1可以轻松设计一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电,非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负电压轨。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA浪涌电流而不会出现闩锁现象。

TLC27L1内置静电放电(ESD)保护电路,可防止电压高达2000 V时的功能故障,如MIL-STD-883C,方法3015.2所测试;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M-suffix器件的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

特性

  • 输入偏移电压漂移。 。 。通常0.1μV/月,包括前30天
  • 在指定温度范围内的宽范围电源电压:
      0°C至70°C。 。 。 3V至16V
    <40> 40℃至85℃。 。 。 4V至16V
<55> 55至125℃。 。 。 5 V至16 V
  • 单电源供电
  • 共模输入电压范围延伸至负电压轨以下(C-Suffix和I-Suffix类型)
  • 低噪音。 。 。 68 nV / Hz通常在f = 1 kHz
  • 输出电压范围包括负值铁路
  • 高输入阻抗。 。 。 10 12 Typ
  • ESD保护电路< /li>
  • 小型封装选项也可用于卷带
  • 设计闩锁抗扰度
  • LinCMOS是德州仪器。

    参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

     
    Number of Channels (#)
    Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
    Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
    GBW (Typ) (MHz)
    Slew Rate (Typ) (V/us)
    Rail-to-Rail
    Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
    Iq per channel (Typ) (mA)
    Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
    Rating
    Operating Temperature Range (C)
    Package Group
    Package Size: mm2:W x L (PKG)
    Offset Drift (Typ) (uV/C)
    Features
    Input Bias Current (Max) (pA)
    CMRR (Typ) (dB)
    Output Current (Typ) (mA)
    Architecture
    TLC27L1B TLC27L2B TLC27L4B
    1     2     4    
    3     3     3    
    16     16     16    
    0.085     0.085     0.085    
    0.03     0.03     0.03    
    In to V-     In to V-     In to V-    
    2     2     2    
    0.01     0.01     0.01    
    68     68     68    
    Catalog     Catalog     Catalog    
    0 to 70     -40 to 85
    0 to 70    
    -40 to 85
    0 to 70    
    SOIC     PDIP
    SOIC    
    PDIP
    SOIC    
    8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)     See datasheet (PDIP)
    8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
    See datasheet (PDIP)
    14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
    1.1     1.1     1.1    
    N/A     N/A     N/A    
    60     60     60    
    94     94     94    
    1     10     10    
    CMOS     CMOS     CMOS