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数据: OPAx314-Q1 3MHz、低功耗、低噪声、RRIO、1.8V CMOS 运算放大器 数据表 (Rev. B)
<动力放大典型代表。由于采用轨至轨输入和输出摆幅并且静态电流较低(5 V S 条件下的典型值为150μA/通道),同时兼具3MHz宽带宽和极低噪声(1kHz条件下为14nV /√ Hz )等特性,因此对于要求在成本和性能间达到良好平衡的各类电池供电应用而言,该器件系列极具吸引力。低输入偏置电流支持源阻抗高达兆欧级的应用。
OPAx314-Q1系列器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,容性负载高达300pF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。
该器件经优化可在低至1.8V(±0.9V)和高达5.5V(±2.75V)的低压下工作,指定工作温度范围为整个扩展级温度范围-40°C至+ 125°C。
单通道器件OPA314-Q1采用小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装,而双通道器件OPA2314-Q1采用超薄小外形尺寸(VSSOP)(8)封装。四通道OPA4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。
所有商标均为其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
Input Bias Current (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
OPA314-Q1 | OPA2314-Q1 | OPA4314-Q1 |
---|---|---|
1 | 2 | 4 |
1.8 | 1.8 | 1.8 |
5.5 | 5.5 | 5.5 |
3 | 3 | 3 |
1.5 | 1.5 | 1.5 |
In Out | In Out | In Out |
2.5 | 2.5 | 2.5 |
0.13 | 0.15 | 0.13 |
14 | 14 | 14 |
Automotive | Automotive | Automotive |
-40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
SOT-23 | SOIC | TSSOP |
5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) |
1 | 1 | 1 |
EMI Hardened | EMI Hardened | EMI Hardened |
10 | 10 | 10 |
96 | 80 | 96 |
20 | 20 | 20 |
CMOS | CMOS | CMOS |