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数据: TLVx316-Q110MHz、轨到轨输入/输出、低电压、1.8V CMOS 运算放大器 数据表 (Rev. B)
TLV316-Q1(单路),TLV2316-Q1(双路)和TLV4316-Q1(四路)器件构成了低功耗通用运算放大器系列。该器件系列将轨至轨输入和输出摆幅,低静态电流(每通道的典型值为400μA)等特性与10MHz的较宽带宽和超低噪声(1kHz时为12nV /√ Hz )相结合,因此适用于要求兼具快速特性与良好功率比的电路。低输入偏置电流支持在源阻抗高达兆欧级的应用.TLVx316 -Q1的低输入偏置电流产生的电流噪声极低,该器件系列因此备受高阻抗传感器接口的青睐。
TLVx316-Q1采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成RFI和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相,并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV HBM)。
此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作。产品组合中最新补充的这款低压CMOS运算放大器与TLVx313-Q1和TLVx314-Q1系列相结合,为用户提供了广泛的带宽,噪声和功率选项,可以满足各种应用的需求提供了灵活性和便利性。
所有tr ademarks是其各自所有者的财产。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
TLV316-Q1 |
---|
1 |
1.8 |
5.5 |
10 |
6 |
In Out |
3 |
0.4 |
12 |
Automotive |
-40 to 125 |
SOT-23 |
5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) |
2 |
Cost Optimized EMI Hardened |
90 |
50 |
CMOS |