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TL05x系列JFET输入运算放大器与TL07x和TL08x系列BiFET运算放大器相比,具有更高的直流和交流特性。片内齐纳偏置电压调整可产生低至1.5 mV(TL051A)的精度等级,从而在直流耦合应用中实现更高的精度。德州仪器改进了BiFET工艺,优化设计还可提高带宽和压摆率,而不会增加功耗。 TL05x器件与TL07x和TL08x引脚兼容,可用于升级现有电路或在新设计中实现最佳性能。
BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使它们更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,它们还具有固有的更好的交流响应。
TL05x系列旨在提供比TL08x更高的精度和更好的交流响应,具有TL07x的低本底噪声。要求显着更快的交流响应或确保更低噪声的设计人员应考虑使用Excalibur TLE208x和TLE207x系列BiFET运算放大器。
由于BiFET运算放大器设计用于双电源,因此必须注意观察常见情况。 - 采用单电源供电时,模式输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置,并且应将负载端接到中间电源的虚拟接地节点。当使用单电源工作时,德州仪器(TI)TLE2426集成虚拟地发生器非常有用。
TL05x的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低压和/或单电源供电系统,推荐使用德州仪器LinCMOS系列运算放大器(TLC前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意压摆率和带宽要求,以及输出负载。
Number of Channels (#) |
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
GBW (Typ) (MHz) |
Slew Rate (Typ) (V/us) |
Rail-to-Rail |
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
Iq per channel (Typ) (mA) |
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
Rating |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
Package Size: mm2:W x L (PKG) |
Offset Drift (Typ) (uV/C) |
Features |
Input Bias Current (Max) (pA) |
CMRR (Typ) (dB) |
Output Current (Typ) (mA) |
Architecture |
TL052 | TL051 | TL051A | TL052A | TL054 | TL054A |
---|---|---|---|---|---|
2 | 1 | 1 | 2 | 4 | 4 |
10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 | 3.3 |
20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ |
1.5 | 1.5 | 0.8 | 0.8 | 4 | 1.5 |
2.7 | 2.7 | 2.7 | 2.7 | 2.7 | 2.7 |
18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
0 to 70 -40 to 85 | 0 to 70 | 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 |
PDIP SO SOIC | PDIP SOIC | PDIP SOIC | PDIP SOIC | PDIP SO SOIC | PDIP SOIC |
See datasheet (PDIP) 8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) | See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) |
6 | 8 | 8 | 6 | 23 | 23 |
N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A |
200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
93 | 93 | 93 | 93 | 92 | 92 |
42 | 42 | 42 | 42 | 42 | 42 |
FET | FET | FET | FET | FET | FET |
无样片 |