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TL052 双路增强型 JFET 精密运算放大器

数据:

描述

TL05x系列JFET输入运算放大器与TL07x和TL08x系列BiFET运算放大器相比,具有更高的直流和交流特性。片内齐纳偏置电压调整可产生低至1.5 mV(TL051A)的精度等级,从而在直流耦合应用中实现更高的精度。德州仪器改进了BiFET工艺,优化设计还可提高带宽和压摆率,而不会增加功耗。 TL05x器件与TL07x和TL08x引脚兼容,可用于升级现有电路或在新设计中实现最佳性能。

BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使它们更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,它们还具有固有的更好的交流响应。

TL05x系列旨在提供比TL08x更高的精度和更好的交流响应,具有TL07x的低本底噪声。要求显着更快的交流响应或确保更低噪声的设计人员应考虑使用Excalibur TLE208x和TLE207x系列BiFET运算放大器。

由于BiFET运算放大器设计用于双电源,因此必须注意观察常见情况。 - 采用单电源供电时,模式输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置,并且应将负载端接到中间电源的虚拟接地节点。当使用单电源工作时,德州仪器(TI)TLE2426集成虚拟地发生器非常有用。

TL05x的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低压和/或单电源供电系统,推荐使用德州仪器LinCMOS系列运算放大器(TLC前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意压摆率和带宽要求,以及输出负载。

特性

  • 直接升级至TL07x和TL08x BiFET运算放大器
  • 更快的摆率(20 V /μs典型值),无需增加功率消耗
  • 片上偏移电压调整可提高DC性能和精度等级(1.5 mV,TL051A)

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TL052 TL051 TL051A TL052A TL054 TL054A
2     1     1     2     4     4    
10     10     10     10     10     10    
30     30     30     30     30     30    
3.3     3.3     3.3     3.3     3.3     3.3    
20     20     20     20     20     20    
In to V+     In to V+     In to V+     In to V+     In to V+     In to V+    
1.5     1.5     0.8     0.8     4     1.5    
2.7     2.7     2.7     2.7     2.7     2.7    
18     18     18     18     18     18    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    
0 to 70
-40 to 85    
0 to 70     0 to 70     -40 to 85
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
PDIP
SO
SOIC    
PDIP
SOIC    
PDIP
SOIC    
PDIP
SOIC    
PDIP
SO
SOIC    
PDIP
SOIC    
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
6     8     8     6     23     23    
N/A     N/A     N/A     N/A     N/A     N/A    
200     200     200     200     200     200    
93     93     93     93     92     92    
42     42     42     42     42     42    
FET     FET     FET     FET     FET     FET    

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